C114门户论坛百科APPEN| 举报 切换到宽版

亚星游戏官网

 找回密码
 注册

只需一步,快速开始

短信验证,便捷登录

搜索

军衔等级:

亚星游戏官网-yaxin222  少将

注册:2015-1-2880
发表于 2024-8-1 12:13:52 |显示全部楼层
IT之家 8 月 1 日消息,韩国媒体 ETNews 报道称,SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发,计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备,2026 年二季度正式启动大规模生产。

SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品,并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。

亚星游戏官网-yaxin222
▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存

按照韩国媒体的说法,SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年,明显短于业界平均水平。

IT之家注:从代际发布间隔来看,美光从 232 层 NAND 闪存到 276 层用时 2 年,SAMSUNG V8 NAND 和 V9 NAND 间隔约 1.5 年。

韩国媒体在报道中还提到,SK 海力士新的 400+ 层堆叠 NAND 闪存将采用不同于现有“4D NAND”的整体结构:

SK 海力士目前的 4D NAND 采用了 PUC(Peri Under Cell,单元下外围)技术,将外围控制电路放置在存储单元的下方,较更传统的外围电路侧置设计可减少芯片占用空间。

亚星游戏官网-yaxin222

而 SK 海力士未来的 NAND 将在两块晶圆上分别制造外围电路和存储单元,此后采用 W2W(晶圆对晶圆)形式的混合键合技术,将这两部分整合为完整的闪存。

换句话说,SK 海力士也将采用类似长江存储 Xtacking、铠侠-西部数据 CBA 的结构设计。

报道指出,SK 海力士已在着手构建 NAND 混合键合所需的原材料与设备供应链,正对混合键合技术与材料进行新的审查;此外SAMSUNG电子也考虑在下一代 NAND 生产中应用混合键合。

举报本楼

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册 |

手机版|C114 ( 沪ICP备12002291号-1 )|联系大家 |网站地图  

GMT+8, 2024-12-23 14:08 , Processed in 0.112848 second(s), 16 queries , Gzip On.

Copyright © 1999-2023 C114 All Rights Reserved

Discuz Licensed

回顶部
XML 地图 | Sitemap 地图