消息称SAMSUNG 1b nm 移动内存良率欠佳，影响 Galaxy S25 手机开发

gythy1978

IT之家 9 月 4 日消息，据韩国媒体 ZDNET Korea 报道，SAMSUNG电子 MX 部门 8 月向 DS 部门表达了对面向 Galaxy S25 系列手机的 1b nm （IT之家注：即 12nm 级） LPDDR 内存样品供应延误的担忧。


SAMSUNG电子于 2023 年 5 月启动 1b nm 工艺 16Gb DDR5 内存量产，后又在当年 9 月发布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在内部推进 1b nm LPDDR 移动内存产品的开发工作。


然而该韩国媒体此前就在今年 6 月 11 日宣称，SAMSUNG电子的 1b nm DRAM 内存产品当时良率不足五成。

SAMSUNG电子 LPDDR 内存产品线


韩国媒体今日报道指出，SAMSUNG电子 DS 部门本应在 8 月之前就向 MX 部门供应一定规模的 12Gb、16Gb 容量 1b nm LPDDR 内存样品，用于 Galaxy S25 系列手机开发。但 DS 部门未能按时提供足够数量样品。


知情人士透露，SAMSUNG电子的 1b nm LPDDR 良率不及预期，影响了企业内部的供货时间表，MX 部门已就此提出抗议，并正在重新审视 Galaxy S25 系列手机的 DRAM 供应计划。


根据 DRAM 产业一般规律，要想实现稳定且经济的大规模生产与供应，内存良率至少需要达到 80%。目前看来SAMSUNG电子的 1b nm LPDDR 即使在企业内部供应中也存在不足问题，意味着该产品良率远低于 80% 的目标。