全新国产DUV光刻机曝光：“套刻≤8nm”是个什么水平？

十里坡旧事

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　　氟化氪光刻机其实就是老式的248nm光源的KrF光刻机，分辨率为≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氩光刻机则是193nm光源的ArF光刻机（也被成为DUV光刻机），但披露的这款依然是干式的DUV光刻机，而非更先进的浸没式DUV光刻机（也被称为ArFi光刻机）。

　　从官方披露的参数来看，该DUV光刻机分辨率为≤65nm，套刻精度≤8nm。虽然相比之前上微的SSA600光刻机有所提升（分辨率为90nm），但是仍并未达到可以生产28nm芯片的程度，更达不到制造什么8nm、7nm芯片的程度。很多网友直接把套刻精度跟光刻制造制程节点水平给搞混了。

　　光刻精度主要看的是光刻机的分辨率，65nm的分辨率，那么单次曝光能够达到的工艺制程节点大概就在65nm左右。

　　虽说65nm的光刻分辨率采用多重曝光，有可能做到更先进的工艺节点，但是会受限于套刻精度所带来的误差叠加放大。

　　根据某光刻大厂的一位内部专家向芯智讯透露，65nm分辨率的ArF光刻机，配合好的OPC（光学邻近效应校正）算法，可以推进到55nm制程。

　　“单次曝光的overlay（套刻精度）的控制窗口是1/4至1/5的线宽，所以55nm线宽的芯片需要至少11nm的overlay才能够制造。虽然该光刻机的套刻精度为≤8nm，但这只是出厂标准，在晶圆加工过程中的各种工序本身还会带来误差，所在整个芯片制造上的overlay会比出厂标准更低，所以8nm的套刻精度实际落在产品上可能就差不多11-12nm了。所以单次曝光最多也就能做到55-65nm的水平。”

　　“如果采用多重曝光，比如双重曝光，那么所需要的overlay就要砍半，所以现有的单次曝光55nm水平，如果要做双重曝光，那么至少需要55÷5÷2=5.5nm的overlay，四重曝光overlay还要再砍一半，那就是需要2.75nm的overlay。因此，8nm的overlay是没有办法来做多重曝光的。”该光刻技术专家对芯智讯进一步说明道。