手机毫米波直连卫星，终结地面蜂窝

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2024 年 8 月 29 日（GLOBE NEWSWIRE）—— GaN（氮化镓）技术领域的领先创新者Finwave Semiconductor, Inc.宣布与全球领先的专业代工厂GlobalFoundries (GF)达成了一项战略技术开发和许可协议。GlobalFoundries在射频（RF）领域有着丰富的领导经验。

此次合作将 Finwave 尖端的 GaN-on-Si 技术与 GF 在美国的大批量生产能力和悠久的 RF 创新传统（包括业界领先的 RF 绝缘体上硅和硅锗解决方案）相结合。合作的重点将是优化和扩大Finwave的创新增强模式（E-mode）MISHEMT技术，并在GlobalFoundries位于佛蒙特州伯灵顿的200毫米半导体制造工厂实现量产。

Finwave 先进的 200mm GaN-on-Si E-mode MISHEMT 平台提供卓越的射频性能，在低于 5V 的电压下提供出色的增益和效率，同时确保 200mm 晶圆的高均匀性，正如 Finwave 在 CS Mantech 2024 行业会议上的最新演讲中所强调的那样。利用 Finwave 的技术，GF 全面的 90RFGaN 平台将提供高功率密度和效率，从而实现高性能、优化的设备，节省占用空间和成本。此次合作为传统 GaAs 和 Si 技术不足的应用中的高效功率放大器提供了引人注目的解决方案，包括新的更高频率的 5G FR2/FR3 频段、6G 和 mmWave 放大器以及高功率 Wi-Fi 7 系统，其中卓越的范围和效率至关重要。

Finwave Semiconductor 首席实行官 Pierre-Yves Lesaicherre 博士表示：“这项协议标志着 Finwave 的一个重要里程碑。通过利用 GlobalFoundries 广泛的制造能力并将 Finwave 的 E-mode MISHEMT 技术突破投入批量生产，大家将在应对日益苛刻的无线通信领域时释放巨大的增长机会。此次合作为进一步创新和将 RF 前端集成到单个 GaN-on-Si 设备上打开了大门。这是前所未有的，并且有可能降低成本和尺寸，而这两者对于手机来说都是至关重要的。”

GF射频业务副总裁兼总经理 Shankaran Janardhanan 表示：“由于下一代无线网络需要在更高频率下运行的设备，Finwave 的低压 GaN-on-Si 技术与 GF 的 90RFGaN 平台相结合，将成为未来手机功率放大器的重要组成部分，确保强大的性能和高功率效率。”

Finwave 的 E-mode MISHEMT 技术经过十多年的研究和创新而开发，并获得了美国能源部高级研究计划署能源项目 (ARPA-E) 通过其“为具有未开发潜力的领先能源技术播种关键进展”(SCALEUP) 计划提供的联邦资金支撑，以及来自深度技术投资者和战略合作伙伴的私人投资。

利用 GF 的大批量 CMOS 制造能力，Finwave 和 GlobalFoundries 的目标是在 2026 年上半年实现该技术的量产。

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