SK超越SAMSUNG，存储市场首次

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根据市场研究企业Counterpoint Research周三发布的一项新分析报告，SK海力士史上首次夺得全球DRAM市场冠军，超越了长期以来的行业领导者SAMSUNG电子。

报告指出，今年第一季度，SK海力士占据了全球DRAM市场36%的份额，略高于SAMSUNG电子的34%和美光的25%。该企业强劲增长的关键驱动力在于其在高带宽内存（HBM）领域的主导地位，据报道，该企业在该领域占据了70%的市场份额。

这是SK海力士自1983年成立以来首次在全球存储器市场占据主导地位。

SAMSUNG电子曾是存储器领域的霸主，统治市场长达30多年，如今却被挤到第二位，市场份额为34%，美光科技（Micron Technology Inc.）紧随其后，市场份额为25%。

SK海力士之所以能反超SAMSUNG，主要原因是人工智能蓬勃发展，对HBM芯片的需求强劲。

HBM，助SK海力士登顶

“这一里程碑归功于SK海力士能够满足DRAM领域，尤其是HBM领域的强劲需求，”Counterpoint Research高级分析师崔正九（Choi Jeong-gu）表示。“这对企业来说意义非凡。”

这家韩国芯片巨头的成功源于其过去10年来对HBM研发的不懈投入。

2013年，SK海力士在全球首次研发出HBM芯片时，市场对这种高性能芯片的需求并不高。

SK海力士在官方博客中也承认，起初，HBM的复杂性和利基应用令业界心存疑虑。尽管如此，SK海力士仍凭借对未来计算的大胆愿景，持续投入资金推进HBM技术，因此，在AI热潮来临时，凭借其领先地位，SK海力士轻松占领了HBM市场。最新资料显示，SK海力士凭借其最新推出的12层HBM3E芯片，独家供应给全球市值最高的AI企业英伟达的AI加速器，在1-3月季度占据了全球HBM销售额的70%以上。

根据SK海力士3月4日提交的文件，其美国销售子企业SK海力士美国企业去年的销售额为33.49万亿韩元（约合230亿美金），净利润为1049亿韩元（约合7190万美金），较上一年的12.54万亿韩元（约合85.9亿美金）增长了2.6倍。去年，SK海力士业绩创历史新高，总销售额达66.19万亿韩元，营业利润达23.47万亿韩元。HBM产品表现尤为强劲，占第四季度DRAM总销售额的40%以上。

SK海力士预计，在人工智能的推动下，该企业预计，到2027年，HBM内存芯片的需求将以每年82%的速度增长。

Counterpoint分析师也表示：“SK海力士已经做好了充分的准备，以应对HBM需求的激增。”这和韩国时报的报道一致。因为后者表示，SK海力士预计其HBM销量将在2025年翻一番。

SK海力士管理层在电话会议上表示，今年上半年，HBM3E将占大家HBM的一半以上。此外，大家相信12层HBM4将成为大家2026年的旗舰产品，并将在今年完成12层HBM4的开发和量产，以便大家能够按时交付给客户。

“大家的目标是在今年下半年完成HBM4的开发和量产准备，并开始供应。HBM4的供应将从12层芯片开始，然后是16层。预计16层芯片将根据客户需求在2026年下半年交付。”SK海力士管理层强调。该企业认为，配备人工智能的智能手机和个人电脑的销量将会扩大，从而在2025年下半年推动其消费市场的销售额增长。

作为对比，SAMSUNG则更依赖于传统DRAM。相关报道指出，该企业约80%至90%的芯片销售额依赖于传统芯片。然而，由于中国厂商凭借更便宜的替代品迅速崛起，传统内存芯片的需求正在减弱，价格也在下降，这也是推动拥有HBM领先优势的SK海力士更上一层楼的原因之一。

由于HBM需求预计将保持强劲，分析师认为SK海力士很可能在第二季度保持领先地位。尽管人们对美国加征关税的担忧日益加剧，但预计其对HBM市场的影响有限。

Counterpoint分析师表示：“短期内，强劲的人工智能需求将使HBM市场免受贸易相关冲击的影响。HBM主要用于人工智能服务器，该服务器本质上是一个无国界的产品类别，受贸易壁垒的影响较小。”然而，他警告称，长期风险依然存在，尤其是如果贸易紧张局势持续导致整体经济状况恶化的话。全球经济放缓最终可能会对HBM市场的扩张造成压力。

DRAM制程，也在反超？

如果说HBM的领先是SK海力士能够领先的果，因就是他们在技术上持之以恒的投入。

据韩国媒体Hanhooki的一篇新文章中透露，SK海力士新的1c DRAM良率已达到80%，2024年8月宣布，SK海力士宣布已成功开发出全球首款基于1c工艺的16GB DDR5 DRAM。根据电路线宽的不同，DRAM的开发顺序依次为1x、1y、1z、1a、1b、1c和1d，其中1c是最先进的技术。1c大约等于11纳米到12纳米。

考虑到该企业在2024年下半年的良率仅为60%，这在短时间内可谓是一个巨大的进步。由于该企业目前专注于HBM4的生产，大家预计“基于1c”的DDR5内存解决方案不会很快上市。不过，大家可以看到DRAM技术在HBM4上的实际应用，很可能是性能更强大的HBM4E。

凭借这一成就，可以肯定地说，SK海力士已经超越SAMSUNG，暂时占据DRAM领域的技术领先地位。尽管SAMSUNG自主研发1c DRAM模块已有相当一段时间，但早前，有媒体报道，他们正在重新评估1c DRAM模块，以提高良率，该企业仍难以掌控局面。

韩国媒体Zdnet在二月表示，自去年下半年以来，SAMSUNG一直在重新设计其尖端DRAM，以增加芯片尺寸。这是一种比生产力和性能更注重“良品率（良品与投入品的比例）”的战略，被解读为将能力集中于HBM（高带宽存储器）等高附加值存储器的稳定量产的战略。

根据最初规划，SAMSUNG电子计划优先将1c DRAM应用于下一代HBM4（第6代HBM）。目的是快速提高HBM与DRAM的竞争力，使其领先主要竞争对手一代。SK Hynix、美光等已决定为HBM4采用1b DRAM。

然而，SAMSUNG电子的1c DRAM自开发初期以来就一直难以提高成品率。据悉，该系列产品于去年下半年产出首批优质产品，但良率并未达到令人满意的水平。现在，SK海力士将成为首家开始量产HBM4的企业，遥遥领先于竞争对手，而且看起来，这种差距还将继续扩大。

据Techinsights在最新的报告中指出，SAMSUNG和SK海力士已将D1a和D1b单元设计产品商业化，包括DDR5、LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X。同时，他们也完成了最小的12nm级DRAM单元设计。

Techinsights表示，两家企业在采用EUV光刻技术方面均处于领先地位，而美光则在其1α和1β代中继续使用基于ArF和ArFi的图案化技术，并计划在其1γ代中引入EUV。SAMSUNG在D1a和D1b代中将EUV光刻扩展到五个或更多掩模。SK海力士遵循类似的EUVL策略，已将其用于D1a和D1b代，并计划在未来几代中增加EUVL步骤。

与此同时，高K金属栅极（HKMG）技术正日益普及。SAMSUNG率先将HKMG用于D1x GDDR6芯片的外围结构，并将其扩展到D1y DDR5芯片。美光已在D1z图形DRAM中实现了HKMG，并将从D1β代开始将其扩展到所有DRAM类型。SK海力士在D1y和D1a GDDR6中集成了HKMG，最近又在D1b DDR5器件中集成了HKMG。

“明年年初，各大厂商将推出D1c工艺的量产DRAM，随后到2026年或2027年，最终的10纳米级DRAM器件（D1d或D1δ节点）将问世。到2030年，DRAM技术预计将缩小到个位数纳米节点，包括0a、0b、0c或0α、0β和0γ代。SAMSUNG正在开发VS-CAT和VCT 3D DRAM，而SK海力士和美光则专注于垂直堆叠DRAM。DRAM技术的未来前景光明，有望满足高性能应用和新兴技术日益增长的需求。Techinsights强调。

写在最后

回看过去今年的存储市场，除了SAMSUNG、SK海力士和美光等高手过招以外，中国的长鑫存储、长江存储，中国台湾的华邦、南亚和力晶也在“猥琐发育”。最初，大家可能聚焦的产品替代。但随着厂商技术的进步，无论是先进，还是后来者，都在产品和技术路线图策略上发生了变化。

尤其是在地缘政治成为既定事实，人工智能也高速崛起之际，这些厂商的竞争尤为激烈，机会也大增。再加上现在DRAM正在技术变革的关键期。

未来，是否会冒出又一个DRAM新巨头，尚未可知。但可以肯定的是，中国DRAM产业，任重而道远。(半导体行业观察)