SAMSUNG2nm良率持续存在问题、量产一拖再拖！决定从得州晶圆厂撤出人员

gythy1978

快科技9月12日消息，据媒体报道，SAMSUNG的2纳米工艺技术持续存在良率问题，量产时间一再推迟，目前量产时间表已从2024年底推迟到2026年。


为此，SAMSUNG决定从美国得州泰勒工厂撤出人员，只留下最低限度的员工。


泰勒工厂原本被设计为4纳米及以下先进工艺的量产中心，但由于2nm良率始终低于50%，特别是与竞争对手台积电60%~70%的良率相比，SAMSUNG的量产能力受到了严重质疑。


还有业内人士评论称，SAMSUNG的全环绕栅极（GAA）工艺良率仅在10%-20%之间，这使得其既不足以接单也不足以实现量产。


SAMSUNG董事长李在镕近期亲自拜访了ASML和蔡司等主要设备供应商，寻求工艺和良率改进的解决方案，但目前尚未取得显著成果。


一位半导体教授指出，SAMSUNG内部的官僚主义、决策缓慢和薪酬问题可能是导致其晶圆代工竞争力下降的主要原因。


此外，与20-30年前相比，投资时机的延迟也反映了管理层对当前市场现实的认识不足。