SAMSUNG冲刺1nm工艺硬刚台积电

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据《首尔经济日报》报道，SAMSUNG电子近日宣布启动“梦想制程（꿈의 반도체 공정）”1nm芯片研发，预计2029年后实现量产，旨在通过颠覆性技术突破追赶台积电（TSMC）。

SAMSUNG电子正在为下一代半导体技术发起总攻，这标志着韩国巨头正在向比2nm更先进的制程技术迈进。尽管当前在3nm、2nm节点落后于台积电，但SAMSUNG计划通过颠覆性技术路线在2029年后实现1nm工艺量产，目标直指AI芯片市场的爆发式增长需求。

一、打破设计框架：1纳米节点的技术革新

1nm节点需要彻底突破现有芯片设计框架，涉及高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）等下一代设备的全面导入。

SAMSUNG内部已将部分参与2nm研发的工程师调任至1nm项目组，显示出对该项目的战略重视。

目前SAMSUNG公开的最新制程路线图显示，2027年计划量产的1.4nm工艺仍是其最先进节点，而台积电已于去年宣布将在2026年下半年启动1.6nm工艺量产，技术代差仍客观存在。

二、制程良率差距拉大，SAMSUNG加速技术突围

SAMSUNG在3nm和2nm工艺上与台积电存在技术差距，台积电的2nm工艺良率已经超过60%，而SAMSUNG的良率相对较低。

SAMSUNG电子副会长李在镕上月特别强调“继承技术优先传统”，要求管理层“用世界不存在的技术创造未来”。

这一表态被解读为对制程竞赛受挫的危机应对，也是推动1nm提前研发的直接动因。

此外，SAMSUNG还在加大研发投入，计划引入高数值孔径EUV光刻设备，以期在1nm制程上实现技术突破，从而在未来的AI芯片市场中重新确立领先地位。

三、AI芯片技术竞赛下，技术代差成新筹码

随着AI训练算力需求每6个月翻倍，芯片制程的突破成为决定性因素。

台积电通过新增1.6nm节点抢占过渡期市场，而SAMSUNG选择直接跨越至1nm，试图通过技术代差实现弯道超车。

SAMSUNG代工事业部新任社长韩进满近期密集拜访DeepX等本土AI芯片初创企业，显示其正加速构建产业协同。

结语：制程革命能否重塑竞争格局？

从当前3nm节点的良率差距，到2nm节点可能扩大的技术代差，SAMSUNG的1nm战略既是技术追赶，也是路径重塑。

高数值孔径EUV设备的引入将使单片晶圆成本显著增加，这种“烧钱式”技术竞赛可能重塑全球代工市场格局。

对于AI芯片开发商而言，制程节点的突破不仅是性能提升，更是决定未来算力生态的关键变量。

当台积电在2026年启动1.6nm量产时，SAMSUNG能否在2029年用1nm工艺扭转战局，这场技术赛跑的胜负或将在未来三年见分晓。